2012.2.23
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開始行:
[[ミーティング議事メモ]]
N doped diamond meeting #3
ICU 岡野研究室
2/24 17:30~
参加者;石田(RAL) 上野 岡田 岡野 加藤 藤原
[ビームタイム]石田さんの報告
確実にイギリスが使わない19の夕方~20の昼 (18hour) が確率70%程度で有望なビームタイム
19の昼にメンテナンスがある(レギュラーなもの)
3月18日までに大幅なビームロスが無ければ、もしかしたら18日は使用可能かもしれない
加速器の現状:初日に止まったが予備日に吸収されたので、実験スケジュールに影響なし
[N doped diamondの実効的な密度]
N doped Diamond(多結晶)は稠密ではない。特にシリコン基板側での空隙率は高いはず。&br;
(1)作成できたN doped diamond サンプル(with シリコン基板)の重さから同じ大きさのシリコン基板の重さを差っ引いたものをdiamond薄膜のラフな大きさ測定値で割って、ラフな密度測定を行う&br;
→完了(加藤さん)密度: 2.69[g/cm3]&br;
ダイヤモンド膜:φ15mm&br;
厚さ:max=60um, min=45um&br;
として計算。&br;
(2)より精密な測定のために&br;
堆積時間を1時間、2時間,,,と区切ったいくつかの小さいサンプルを作成し、深さ方向の充填率の変化を調べる
[バックサイドシリコン問題]
シリコン基板をタングステンに置き換えることが前回議論された。タングステンは見積もり取得中。
ただ作成は3月18日には間に合わない。
[リファレンス標的]岡野さんの報告
高圧合成ダイヤモンドをお借りすることができた。
単結晶(100面) 厚さ500um,4mm角 ×4枚
多結晶 厚さ300um,10mm角
表面の終端:表面の電気伝導性に影響する。
高圧合成→水素終端か?確認
窒素ドープ→高圧合成が水素終端であればやったほうがよい。
[リファレンスターゲットの保持]
リファレンスターゲットである高圧合成ダイヤモンドは基板がついていない。
カプトンテープで保持することを考えていたが、温度を変化させて測定することを考えると不安。
かつカプトンだとMu造る可能性がある。そこで、N doped diamondで使ったものと同じシリコン基板にreferenceを並べて銀ペースト等で
取り付けて保持する。まだ詰める必要あり。
[測定に関する提案]
N doped diamondとreferenceで止まり方を揃えたい。本来であれば厚さを共通としたいが、3月ではできない。
少なくともビーム減速材(degrader)を共通にする。→シミュレーション等はまとめて次の打ち合わせまでに。
単結晶のをReferenceにつかうのは本当に良いのか→誰か勉強して。
温度変化の他にどのようなパラメーターが変えうるだろうか→一回たたき台を
密度や厚さ等評価の簡単なまとめを貰う(実測値)
不純物濃度(実測値)→測定結果を岡野さんよりいただきました。加藤さん、わかりやすく解説してください。
将来的には電気的特性などなどをLectureしてもらいたい。
[実験に向けての準備として非常に重要な事柄]
RALで使えるDegraderなど、availableなリソースについて石田さん報告お願いします。
ビームパラメータ(運動量、モーメンタムバイト)測定システムジオメトリ→(完了)石田さんのメールを参照
次回の予定
2月29日 17:30 ~ (日本時間)
(場所は、両方の進捗状況に依存。どちらにいるのが得かを考えましょう)
終了行:
[[ミーティング議事メモ]]
N doped diamond meeting #3
ICU 岡野研究室
2/24 17:30~
参加者;石田(RAL) 上野 岡田 岡野 加藤 藤原
[ビームタイム]石田さんの報告
確実にイギリスが使わない19の夕方~20の昼 (18hour) が確率70%程度で有望なビームタイム
19の昼にメンテナンスがある(レギュラーなもの)
3月18日までに大幅なビームロスが無ければ、もしかしたら18日は使用可能かもしれない
加速器の現状:初日に止まったが予備日に吸収されたので、実験スケジュールに影響なし
[N doped diamondの実効的な密度]
N doped Diamond(多結晶)は稠密ではない。特にシリコン基板側での空隙率は高いはず。&br;
(1)作成できたN doped diamond サンプル(with シリコン基板)の重さから同じ大きさのシリコン基板の重さを差っ引いたものをdiamond薄膜のラフな大きさ測定値で割って、ラフな密度測定を行う&br;
→完了(加藤さん)密度: 2.69[g/cm3]&br;
ダイヤモンド膜:φ15mm&br;
厚さ:max=60um, min=45um&br;
として計算。&br;
(2)より精密な測定のために&br;
堆積時間を1時間、2時間,,,と区切ったいくつかの小さいサンプルを作成し、深さ方向の充填率の変化を調べる
[バックサイドシリコン問題]
シリコン基板をタングステンに置き換えることが前回議論された。タングステンは見積もり取得中。
ただ作成は3月18日には間に合わない。
[リファレンス標的]岡野さんの報告
高圧合成ダイヤモンドをお借りすることができた。
単結晶(100面) 厚さ500um,4mm角 ×4枚
多結晶 厚さ300um,10mm角
表面の終端:表面の電気伝導性に影響する。
高圧合成→水素終端か?確認
窒素ドープ→高圧合成が水素終端であればやったほうがよい。
[リファレンスターゲットの保持]
リファレンスターゲットである高圧合成ダイヤモンドは基板がついていない。
カプトンテープで保持することを考えていたが、温度を変化させて測定することを考えると不安。
かつカプトンだとMu造る可能性がある。そこで、N doped diamondで使ったものと同じシリコン基板にreferenceを並べて銀ペースト等で
取り付けて保持する。まだ詰める必要あり。
[測定に関する提案]
N doped diamondとreferenceで止まり方を揃えたい。本来であれば厚さを共通としたいが、3月ではできない。
少なくともビーム減速材(degrader)を共通にする。→シミュレーション等はまとめて次の打ち合わせまでに。
単結晶のをReferenceにつかうのは本当に良いのか→誰か勉強して。
温度変化の他にどのようなパラメーターが変えうるだろうか→一回たたき台を
密度や厚さ等評価の簡単なまとめを貰う(実測値)
不純物濃度(実測値)→測定結果を岡野さんよりいただきました。加藤さん、わかりやすく解説してください。
将来的には電気的特性などなどをLectureしてもらいたい。
[実験に向けての準備として非常に重要な事柄]
RALで使えるDegraderなど、availableなリソースについて石田さん報告お願いします。
ビームパラメータ(運動量、モーメンタムバイト)測定システムジオメトリ→(完了)石田さんのメールを参照
次回の予定
2月29日 17:30 ~ (日本時間)
(場所は、両方の進捗状況に依存。どちらにいるのが得かを考えましょう)
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